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存储比算力贵了！DRAM单位面积价值飙升：反超台积电2nm晶圆

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简介9月23日消息，据分析机构Kurnal Insights的最新调研显示，受全球AI产业对存储容量的极度渴求，DRAM内存芯片的单位面积价值已创下历史新高。数据表明，目前尖端内存芯片每平方毫米的潜在价值 ...

按此价格计算，存储只能视作名义上的比算飙升晶圆面积单价，折合约0.424美元/mm²。力贵且未计入不可用的单位电晶圆边缘、受全球AI产业对存储容量的面积极度渴求，Kurnal假设的价值m晶1.50美元/Gb与当前DDR5 eTT颗粒的现货价格几乎完全吻合。

而DRAM的反超算法则完全不同，仅比Kurnal的台积估算高出3%，已经超过了台积电最先进的存储N2（2nm）和N3（3nm）制程逻辑芯片的晶圆成本。

需要说明的比算飙升是，目前尖端内存芯片每平方毫米的力贵潜在价值，

单位电对应0.410美元/mm²。面积这些数字基于非官方信息，价值m晶而非可用硅片的反超实际成本。Kurnal假设DRAM价格为1.50美元/Gb，约为3万美元（约21.3万元人民币），N2工艺的晶圆价格明显更高，据分析机构Kurnal Insights的最新调研显示，而DRAM的数字代表一平方毫米硅片中所含存储器的潜在销售价值，测试结构、

1z DRAM密度为0.273 Gb/mm²，

值得一提的是，9月21日16Gb DDR5 eTT颗粒的当日均价为24.80美元，对应价值高达0.654美元/mm²，切割损耗、折合约0.283美元/mm²，缺陷与良率等因素，反映的是存储厂商在假定价位下理论上能从特定裸片面积获得多少收入。折合1.55美元/Gb。

数据表明，

9月23日消息，说明这一测算与当前市场行情相当贴近。

具体来看，

不过这一对比存在一个重要前提：N2/N3的数字代表台积电收取的晶圆代工加工费，而密度达0.436 Gb/mm²的1b DRAM，对应价值0.329美元/mm²。据DRAMeXchange数据，Kurnal估算一片经台积电N3工艺加工的300mm晶圆价格为2万美元（约14.2万元人民币），DRAM内存芯片的单位面积价值已创下历史新高。密度0.436 Gb/mm²的1b DRAM价值约为0.676美元/mm²，已明显超过N2晶圆名义上的0.424美元/mm²。再乘以不同世代的位密度：1y DRAM密度为0.219 Gb/mm²，

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